在上海最新的一场发布会上，OSRAM揭露了一项最新的白光LED技术。与生长n型和P型外延层然后在通过蚀刻的方式实现电路的传统的芯片生长方式不同的是，新的3D芯片是在衬底上首先生长n型的GaN掺杂层，然后覆盖掩膜，在特定的区域生产N型的微米棒，使得外延具有纳米层级的3D结构，最后再生长一层包敷在外面的P型GaN壳。

这样的结构可以大大增加发光层的面积，提高光效率，并降低成本。