Micro LED 异军突起，应用潜力极大。Micro LED 是新一代的显示技术，即微型化的LED 阵列，将LED 结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，使其体积大约为常用LED 大小的1％，其中每一个像素点定制，单独驱动发光，像素点的距离由原先的毫米级降低到微米级。Micro LED 制备工艺结合了MOEMS 技术和LED 制备工艺，具有重复性好，一致性好等优点，可实现超高分辨率（1500ppi 以上），且发光寿命长，材料稳定性好，可以避免OLED 器件的残影现象，未来商用潜力极大。

效率更高，功耗更小，Micro LED 有望大幅延长续航时间。近年来OLED 领域，发光材料的效率已获持续改进，但相比之下，LED 发光效率依然是最高的，约为OLED 的两倍左右，而Micro－LED 的发光效率大约是LED 的4 倍左右。Micro LED只需消耗LCD 和OLED 10％－20％的能量，而通常屏幕耗能占智能手机总耗能50％－60％，使用Micro LED 有望大幅降低手机耗能，提供更长的电池续航力。

各大巨头积极布局，Micro LED 商业化曙光已现。OFweek 报道，苹果今年将在台湾对搭载Micro LED 的设备进行测试，并率先推出一批使用该技术的AppleWatch。随后不排除会在苹果手机上应用Micro LED 显示屏。苹果早在2014 年就收购研发Micro－LED 的公司LuxVue，多年来技术储备不断增加，专利储备丰富。此外，近日鸿海对外公告，为了布局继OLED 之后最有希望的新世代显示技术Micro LED，公司透过子公司CyberNet 投资约资1，000 万美元取得eLux 部分股份，elux 在Micro LED 转移技术方面已有专利布局。

同时，不同于苹果等大厂有意将Micro LED 应用于穿戴式装置或手机产品，Sony 率先展示采用Micro LED 技术生产的110 吋室内大型显示器CLEDIS（Crystal LED Integrated Structure），画质与对比度均令外界惊艳。此外，国外相关研究团队还有美国德州理工大学、美国伊利诺大学、英国史崔克莱大学等等。据LEDinside 报道，如果按照全面取代现有液晶显示器的零组件的规模来估算，包括背光模块、液晶、偏光板等，未来Micro LED 的潜在市场规模约可达300－400 亿美元。

技术及成本是主要瓶颈，大规模应用尚需时日。目前Micro LED 面临的主要技术难题在于巨量转移技术（Mass Transfer）。与LED 的制备方法类似，Micro LED可以在蓝宝石衬底上以蚀刻方式制作，但难点在于Micro LED 制备需将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，以实现超高像素、超高解析率。整个制程对转移过程要求极高，良率需达99．9999％，精度需控制在正负0．5μm 内，难度极高。

目前转移相关技术有范德华力、静电吸附、相变化转移、激光烧蚀四种，但相关工艺仍未成熟。此外，根据LEDinside 估算，目前Micro LED 显示技术上带来的制造成本仍高达现有显示产品的3～4 倍，因而厂商正积极透过增加产品附加价值，以及改善芯片、转移技术良率以达到成本下降目标，估计若要取代现有LCD 产品还需3～5 年的时间。